發(fā)改委約談三星 抑制DRAM再度漲價
2018-02-06 14:30:33
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，因為內存價格持續(xù)出現(xiàn)超過6個季度的上漲，導致多家中國智能手機品牌廠不堪成本壓力，因此在去年年底，國家發(fā)改委約談三星半導體，因此第一季行動式內存的漲幅有所放緩。據(jù)了解，韓國政府近日將攜三星電子與國家發(fā)改委簽署備忘錄，內容將包括在半導體領域的相關合作，其中包含擴大在中國投資以及技術合作的可能性。
近年來，中國成為內存產(chǎn)品的最大出?？?，不管是國內需求或是外銷，透過中國所購買的內存比重持續(xù)增加，對于中國市場情緒的變化，三星必須給予尊重及反應。因此，DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，此次事件將可能對未來內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生以下兩種影響：
一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態(tài)，但未來漲幅將受抑制
從DRAM領域來看，現(xiàn)在供貨商在生產(chǎn)行動式內存的獲利遠低于其他類別產(chǎn)品，而受到第一季智能手機市場低迷需求的影響，再加上國家發(fā)改委的干預，預期未來價格漲幅將會更加受到控制。預計未來，供貨商預期會持續(xù)將現(xiàn)有的產(chǎn)能從行動式內存轉向更高毛利產(chǎn)品，造成其他類別產(chǎn)品的價格漲幅也進一步收斂。
二、供貨商為避免價格漲幅過高，新增產(chǎn)能的可能性增加
其次，在NAND Flash領域，2018年由于3D NAND Flash的比重持續(xù)提高，因此供貨吃緊的狀態(tài)較去年大幅改善。然而，觀察DRAM供給，因為現(xiàn)在并未有新增產(chǎn)能貢獻位元產(chǎn)出，所有2018年仍會處于供不應求狀態(tài)。DRAMeXchange分析，為解決中國方面對于內存價格持續(xù)上漲所表達的強烈不滿，對供貨商而言，在漲價受到抑制、成本下降不易的考慮下，新增產(chǎn)能的可能性與時程皆可能轉趨積極，透過增加產(chǎn)能來貢獻位元產(chǎn)出不僅可以維持價格穩(wěn)定，也希望藉此維持該企業(yè)在DRAM產(chǎn)品的獲利水平。
本文關鍵詞：
DRAM NAND Flash
相關文章：
國產(chǎn)存儲芯片業(yè)崛起
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權代理：VTI、
netsol、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關注SRAMSUN. m.yjgzs.cn 0755-66658299
