SDRAM
SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）的簡稱，
SDRAM采用3.3v工作電壓，帶寬64位，SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鐘鎖在一起，使RAM和CPU能夠共享一個時鐘周期，以相同的速度同步工作，與 EDO內(nèi)存相比速度能提高50%。SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當(dāng)CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù)時，另一個就已為讀寫數(shù)據(jù)做好了準(zhǔn)備，通過這兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡上的顯存方面也有廣泛應(yīng)用。
SDRAM之所以成為DRAM就是因為它要不斷進(jìn)行刷新（Refresh）才能保留住數(shù)據(jù)，因為刷新（Refresh）是DRAM最重要的操作。那么要隔多長時間重復(fù)一次刷新，目前公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是，存儲體中電容的數(shù)據(jù)有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是說每一行刷新的循環(huán)周期是64ms。這樣刷新速度就是：64ms/行數(shù)量。我們在看內(nèi)存規(guī)格時，經(jīng)常會看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的標(biāo)識，這里的4096與8192就代表這個芯片中每個Bank的行數(shù)。刷新命令一次對一行有效，發(fā)送間隔也是隨總行數(shù)而變化，4096行時為15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行時就為7.8125μs。HY57V561620為8192 refresh cycles / 64ms。
SDRAM是多Bank結(jié)構(gòu)，例如在一個具有兩個Bank的SDRAM的模組中，其中一個Bank在進(jìn)行預(yù)充電期間，另一個Bank卻馬上可以被讀取，這樣當(dāng)進(jìn)行一次讀取后，又馬上去讀取已經(jīng)預(yù)充電Bank的數(shù)據(jù)時，就無需等待而是可以直接讀取了，這也就大大提高了存儲器的訪問速度。
SDRAM品牌類目
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