我國團(tuán)隊研究出新型態(tài)光敏感性半導(dǎo)體存儲器
2018-01-03 15:07:14
近日有研究團(tuán)隊根據(jù)原子級薄度的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)計出一種存儲器，不僅具有良好的性能，而且能夠在完全不需要電力輔佐的情況下，用光線就能清除保存的資料，團(tuán)隊認(rèn)為這種新型的存儲器在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上，擁有非常大的應(yīng)用潛力。
據(jù)報導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的Long-Fei He和相關(guān)研究人員最近在新的應(yīng)用物理學(xué)快報（AIP）期刊上發(fā)表了一個關(guān)于新型態(tài)存儲器的論文。
因為大多數(shù)現(xiàn)有的存儲器技術(shù)都太過笨重，無法整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設(shè)備。
在這項新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應(yīng)用，研發(fā)出一種原子級薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而形成具有高開關(guān)電流比的存儲器基礎(chǔ)元件。
除此之外，團(tuán)隊也在反復(fù)測試中證明，這類型存儲器具有運行速度快、大容量的存儲器空間和卓越的存儲性，研究人員估計，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實際應(yīng)用來說完全足夠。
過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以通過運用光來控制，為了了解實際應(yīng)用情況，團(tuán)隊也實際進(jìn)行了相關(guān)實驗，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲設(shè)備上時，儲存資料被完全消除，但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。
負(fù)責(zé)人表示，團(tuán)隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規(guī)模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設(shè)備，將會在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。
本文關(guān)鍵詞：
半導(dǎo)體存儲器
相關(guān)文章：
2018芯片缺貨潮不停
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：
VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、ipus、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
?更多資訊關(guān)注SRAMSUN. m.yjgzs.cn 0755-66658299
