目前根據(jù)GlobalFoundries、三星、臺積電和聯(lián)電公布出來的計劃預計在今年或者明年開始以嵌入式內存解決方案的形式提供 MRAM，開始提供自旋轉移力矩磁阻 RAM(spin-transfer torque magnetoresistive RAM，簡稱 ST-MRAM 或 STT-MRAM)作為 NOR 閃存的替代或 NOR 閃存之外的另一種選擇，標志著MRAM正式改變內存市場的格局，因為到目前只有EVERSPIN為各種應用提供商用產品MRAM,包括替換電池供電的SRAM,寫緩存等等。
 
STT-MRAM使用電子自旋的磁性來實現(xiàn)芯片的非易失性，從性能來看，既有SRAM的速度，同時兼顧非易失性，更甚于塌近乎無限的耐久性，嵌入式內存IP市場會是STT-MRAM的機會，傳統(tǒng)的嵌入內存NOR內存存在較多的問題，如40nm向28nm的工藝設計及以后節(jié)點遷移遇到的不可估計的問題，所以STT-MRAM會讓這項技術成為先進節(jié)點上對傳統(tǒng)技術的事實上的替代技術。
 
GlobalFoundries 嵌入式內存副總裁 Dave Eggleston 說道，在針對汽車和安全應用時，嵌入式內存將會是嚴酷環(huán)境中的數(shù)據(jù)存留之王，那是嵌入式閃存還將繼續(xù)長壽的領域。但它的擴展性不是很好。隨著你下降到 28nm 或更小的節(jié)點，嵌入式閃存實際上就成了一個成本高昂的選擇。”
STT-MRAM 也恰好為 20 幾納米及以后節(jié)點的嵌入式內存應用做好了準備，用于汽車、物聯(lián)網(wǎng)、消費電子和移動設備的 MCU 和 SoC 上，嵌入式 STT-MRAM 有很大的機會替代嵌入式閃存，不失為這個行業(yè)的一種新的解決方案。

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