8月14日，美光在總部舉辦活動(dòng)慶祝新廠建設(shè)成功。據(jù)了解，這個(gè)工廠主要用于研發(fā)全新內(nèi)存以及存儲(chǔ)技術(shù)，美光技術(shù)開發(fā)執(zhí)行副總裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技術(shù)研發(fā)中心已經(jīng)轉(zhuǎn)入其日本廣島的制造工廠，未來(lái)將加速研發(fā)3D NAND以及DRAM全新技術(shù)。

　　
由于目前DRAM市場(chǎng)正處于漲潮階段，美光預(yù)計(jì)2017年會(huì)計(jì)年度第四季營(yíng)收同比增長(zhǎng)91%，高達(dá)61.38億美元，且對(duì)于2017年底營(yíng)收的展望遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期，預(yù)估為63億美元左右。美光執(zhí)行長(zhǎng)SanjayMehrotra表示，美光1X納米DRAM和64層3D NAND的良率將于今年年底達(dá)到穩(wěn)定階段，從產(chǎn)業(yè)目前情況來(lái)看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都將供不應(yīng)求。


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