FRAM的讀寫(xiě)速度主要取決于鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性，根據(jù)目前理論極化反轉(zhuǎn)速度可達(dá)到皮秒量級(jí)。

MRAM利用磁性存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，容量成本低，具有高速存取、低功耗、無(wú)限次讀寫(xiě)、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，在航空航天、軍事、移動(dòng)通訊等領(lǐng)域的應(yīng)用有很大優(yōu)勢(shì)。

PRAM被認(rèn)為是FLASH和DRAM的替代者，讀寫(xiě)速度是普通閃存的30倍，同時(shí)其擦寫(xiě)壽命也是閃存的10倍。PRAM的最大優(yōu)點(diǎn)是高效能和低耗電。

RRAM具有與CMOS低功耗、工藝兼容性好、易于隨先進(jìn)工藝微縮等優(yōu)點(diǎn)受到廣泛關(guān)注。

 

 

FRAM目前作為新型存儲(chǔ)器的主要問(wèn)題是鐵電薄膜材料。未來(lái)發(fā)展需要解決的主要難題：一是采用3D結(jié)構(gòu)縮小單元面積提高集成度；二是提高鐵電薄膜特性。

RRAM還是一項(xiàng)走在前沿的研究課題，現(xiàn)在還主要停留在實(shí)驗(yàn)室階段。未來(lái)材料的尋找仍然是RRAM面臨的主要問(wèn)題。

而臺(tái)積電未來(lái)選擇先生產(chǎn)的MRAM和PRAM也會(huì)遇到不小的挑戰(zhàn)。MRAM的主要問(wèn)題在于其高昂的制造成本。其次MRAM依靠磁性存儲(chǔ)材料，磁場(chǎng)會(huì)對(duì)周?chē)男酒a(chǎn)生怎樣的影響需要謹(jǐn)慎思考。

PRAM目前最大的問(wèn)題是成本和容量。目前PRAM的單位容量成本還是比NAND高不少。發(fā)熱對(duì)于PRAM來(lái)說(shuō)是個(gè)大問(wèn)題，由于PRAM需要加熱電阻式材料發(fā)生相變，隨著工藝越來(lái)越先進(jìn)，單元變得越來(lái)越精細(xì)，對(duì)于加熱元件的控制要求也將越來(lái)越高，那發(fā)熱帶來(lái)的影響也將加大。發(fā)熱和耗電將會(huì)制約PRAM的進(jìn)一步發(fā)展。

 

嵌入式存儲(chǔ)器具有大容量集成的優(yōu)勢(shì)，是SOC的重要組成部分，具有重要的創(chuàng)新性和實(shí)用性。何種嵌入式存儲(chǔ)器將取得最終的成功，

取決于多方面的因素：能否與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容，在不斷增加復(fù)雜性的工藝步驟的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)大容量的片上集成，從而提高其性價(jià)比;能否隨著工藝的發(fā)展縮小尺寸，解決超深亞微米工藝的延續(xù)性和擴(kuò)展性問(wèn)題，這是所有采用電容結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器面對(duì)的共同挑戰(zhàn);能否滿足片上其他高速邏輯的帶寬需要，構(gòu)成帶寬均衡、穩(wěn)定簡(jiǎn)潔的集成系統(tǒng);準(zhǔn)確的市場(chǎng)定位，保持量產(chǎn)。

總而言之每項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展都有其機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)。而無(wú)懼挑戰(zhàn)勇于創(chuàng)新的企業(yè)最終將贏得市場(chǎng)。

本文關(guān)鍵詞：嵌入式存儲(chǔ)器   MRAM  FRAM

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