瑞薩高速SRAM*1 產(chǎn)品資料
2017-08-25 14:17:51
隨著互聯(lián)網(wǎng)的廣泛普及，傳輸速度和發(fā)送到通信設備的信息量也在不停添加，現(xiàn)在數(shù)據(jù)速率已經(jīng)超過了40Gb/s。檢查數(shù)據(jù)終點和管理高端網(wǎng)絡設備內(nèi)的數(shù)據(jù)包流量的需要不斷推動著對具有高速操作功能的大密度存儲器需求的增長。并且，數(shù)據(jù)復雜度也隨視頻、語音和數(shù)據(jù)應用而不斷增加，因此需要更大的存儲容量。
現(xiàn)在，瑞薩提供了大量面向工業(yè)應用和UNIX*3服務器與工作站內(nèi)高速緩沖存儲器的SRAM、18Mb網(wǎng)絡SRAM以及面向通信設備的36Mb DDRII與QDRII SRAM。隨著網(wǎng)絡設備性能和功能的不斷提高，瑞薩利用其設計專長和生產(chǎn)技術(shù)為72Mb QDRII與QDRII+ SRAM產(chǎn)品實現(xiàn)了更高的速度和高可靠性，從而滿足了通信應用對高速、大容量和大位寬度的需求。
產(chǎn)品詳情
新產(chǎn)品均提供所有突發(fā)長度和位寬度組合，并且標準HSTL(高速晶體管邏輯)接口用于超高速同步SRAM.
新產(chǎn)品采用165-引腳塑料FBGA封裝，尺寸為15 mm × 17 mm，具有杰出的散熱特性，適于大密度安裝。這些產(chǎn)品符合RoHS指令*4的要求，還提供無鉛版本。QDR引腳配置支持將來向高達288Mb的密度無縫移植。并且，采用FBGA封裝的產(chǎn)品支持IEEE標準測試存取端口和邊界掃描架構(gòu)(IEEE標準1149.1-1990)，能夠在板級模塊安裝過程中實現(xiàn)交叉連接檢查。
對于將來該領域的開發(fā)，瑞薩制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃，并致力于開發(fā)容量更大、性能更高的QDR/DDR SRAM產(chǎn)品以支持不斷變化的用戶需求。
本文關鍵詞：DDRII
SRAM 高速同步SRAM
相關文章：
瑞薩推出高速SRAM*1產(chǎn)品系列
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
了解更多關于存儲芯片知識，請關注英尚微電子：http://m.yjgzs.cn
