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南亞科10nm DRAM提上日程

2017-08-07 15:29:56

近日DRAM廠南亞科舉行了總部落成典禮,總經(jīng)理李培瑛在典禮上透露,新廠即將開始生產(chǎn)20納米DRAM,這同時也在為南亞科10納米打下堅實研發(fā)基礎(chǔ)。李培瑛會后指出,南亞科針對10納米已有研發(fā)計劃,有兩套方案正在進行中,一套是自主研發(fā),另一個則是取得美光技術(shù)授權(quán),生產(chǎn)制程技術(shù)持續(xù)往先進方向發(fā)展。李培瑛認為,南亞科同時進行兩個方案,持續(xù)往先進制程發(fā)展,也才能讓南亞科技旭永續(xù)經(jīng)營。

李培瑛表示,南亞科新營運總部,對于南亞科來說是標志制程正式進入20 納米,南亞科將可為客戶提供一系列20 納米制程產(chǎn)品,除現(xiàn)在的LPDDR4,未來也將進入DDR5 與DDR6。新總部啟用后,將原本分散在3 個地方的廠區(qū)集中一起,而新廠擴建的無塵室廠房,將是未來20 納米與10 納米的生產(chǎn)基地。

未來每年創(chuàng)造200億新產(chǎn)值

總經(jīng)理李培瑛指出,新廠與設(shè)備總投資金額為557億元,新的20納米工藝,加上原有的30納米制程,總投片量將達6.8萬片,未來每年將可為南亞科創(chuàng)造200億元產(chǎn)值。

李培瑛表示,此次投產(chǎn)的20 納米晶圓廠FAB 3AN,包含廠房與設(shè)備投資總金額達557 億元,加上另一棟3A 廠房,總投資金額為1800 億元。

南亞科新廠位在新北市泰山南林園區(qū)新設(shè)總部及廠房,更遵循臺灣綠建筑評估系統(tǒng)EEWH 規(guī)劃興建,采用低污染、可循環(huán)利用的建筑材料,并使用各類節(jié)能設(shè)計,包含綠化量、空調(diào)節(jié)能、照明節(jié)能、二氧化碳減量指標等,水資源與基地保水指標優(yōu)于法規(guī)設(shè)計,展現(xiàn)綠建筑設(shè)計原則。

?本文關(guān)鍵詞:10nm DRAM  20 納米            相關(guān)文章:SRAM將會消失?



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