基于TMR和巨大隧穿磁阻效應，總共衍生出兩代主要的MRAM器件類型：第一代是磁場驅(qū)動型MRAM，即通過電流產(chǎn)生的磁場驅(qū)動存儲單元的磁矩進行寫入操作，典型代表有星型MRAM和嵌套型MRAM；第二代是電流驅(qū)動型自旋轉(zhuǎn)移矩MRAM（STT-MRAM），即通過極化電流對存儲單元進行寫入操作。

弗吉尼亞大學的研究人員開發(fā)出的一種使用MRAM的短期和長期存儲解決方案的技術。該器件使用旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩電流來改變每個存儲域的磁化強度，以實現(xiàn)更高的存儲位密度和更快的寫入速度。這些存儲域沿著存儲線分配，并且在不施加電壓時，每個域附近的多鐵性元素可提供磁化穩(wěn)定性。


為了寫入單個位，電流通過存儲線，并且多鐵性元件和自由層的相互作用確定層之間的反平行極性為“ 1”（高電阻），層之間的平行極性為“ 0” （低電阻）。然后，通過減小存儲線和多鐵性元件之間的交換偏壓來更改存儲域的磁化強度（請參見上圖）。存儲器域是可獨立寫的，只需要一個電流輸入即可存儲數(shù)據(jù)。這大大降低了能耗和寫入周期所需的時間，從而提高了成本和性能效率。EVERSPIN在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領先地位。在包括40nm，28nm及更高技術節(jié)點在內(nèi)的先進技術節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。我司英尚微電子代理Everspin MRAM芯片。各種容量大小均可提供.

本文關鍵詞： MRAM

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