汽車動力總成模塊使用閃存技術在斷電（保持活動內存（KAM）和非易失性內存（NVM））期間保留重要的控制和診斷信息。復雜的軟件必須設計為最大化這些設備的生命周期，因為它們的寫入周期數(shù)量有限。
 
MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）具有消除這種復雜性的潛力，并使KAM和NVM的管理過程更輕松，更強大。板載MRAM器件與下一代動力總成微處理器一起使用。創(chuàng)建了集成了最新動力總成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2個x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。
 
汽車工業(yè)正在引入新的非易失性存儲器，例如mram芯片，相控存儲器（PCRAM）和RRAM。這些新的存儲器在汽車改變狀態(tài)條件期間提供了存儲和檢索數(shù)據方面的改進。動力總成控制研究與發(fā)展（PCRA）團隊與Everspin和微控制器供應商合作，使用下一代動力總成控制器快速構建外部MRAM的原型。
 
非易失性存儲器
當前，引擎控制單元（ECU）使用非易失性存儲器（NOR FLASH）來存儲日志記錄數(shù)據（DFLASH）。數(shù)據存儲在DFLASH中，并在點火鑰匙關閉（或稱為KO（鑰匙關閉））后記錄。該數(shù)據用于完善用于控制傳動系統(tǒng)的算法的系數(shù)，并確定傳感器輸入是否已超過預定極限。必須存儲非易失性數(shù)據（例如，在發(fā)動機和車輛組裝期間從條形碼讀取中捕獲的單個噴油器微調數(shù)據，變速箱電磁閥特性數(shù)據以及永久性P代碼等）。 KAM類型的數(shù)據（例如自適應表）需要在密鑰循環(huán)后保留，但是如果丟失，可以重新使用。
 
DFLASH和當前發(fā)行的限制銀行掉期操作是當前DFLASH的限制。將非易失性數(shù)據寫入DFLASH需要花費幾秒鐘的時間。當發(fā)生存儲區(qū)交換時，D-Flash的未使用存儲區(qū)將被刪除，在已刪除存儲區(qū)上建立文件系統(tǒng)，最后將搜索舊存儲區(qū)以找到最新數(shù)據，然后將其復制到新存儲區(qū)中。在發(fā)生大多數(shù)問題的銀行掉期過程中，密鑰有足夠的時間重新出現(xiàn)。在不同的應用程序版本和車輛類型之間，以這種方式支持的NVRAM數(shù)據結構的數(shù)量和大小可能會有所不同。更新請求的頻率是可變的，某些情況是基于特定事件的發(fā)生（例如，車輛配置信息已更改或需要存儲新的診斷事件）。