Everspin磁性隨機存儲器串口MRAM芯片常見問題
2025-11-19 11:36:45
在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。下文整理了幾個Everspin磁性隨機存儲器串口
MRAM芯片的常見問題：
1、磁場對MRAM設(shè)備是否有影響？
Everspin磁性隨機存儲器在設(shè)計時已充分考慮到外部磁場的影響。其規(guī)格書中明確規(guī)定了兩種磁場容忍閾值：
•Hmax_write：指在數(shù)據(jù)寫入過程中設(shè)備可承受的最大外部磁場強度。
•Hmax_read：適用于數(shù)據(jù)讀取、待機狀態(tài)或斷電情況下的磁場耐受值。
在Everspin磁性隨機存儲器實際使用中，只要外部磁場強度不超過所規(guī)定的閾值，設(shè)備即可穩(wěn)定工作，數(shù)據(jù)不會因常規(guī)磁場干擾而丟失。
2、能否在MRAM附近使用磁化工具？
很多用戶擔(dān)心電動螺絲刀、帶磁鉆頭等磁化工具會影響MRAM運行。實際上，在設(shè)備未通電狀態(tài)下，這類工具可在距離MRAM封裝至少1毫米以外的地方安全使用。但需注意避免磁體直接接觸Everspin磁性隨機存儲器芯片封裝。任何電子元件在通電狀態(tài)下都應(yīng)避免附近使用強磁性工具，這是普遍的設(shè)計原則。
3、如何有效避免磁場干擾問題？
Everspin MRAM內(nèi)部采用軟磁屏蔽結(jié)構(gòu)，能有效約束磁通量擴散，使其不會對外圍電路造成干擾。因此，用戶通常無需為串口MRAM芯片額外加裝磁屏蔽措施。在系統(tǒng)集成時，建議參考產(chǎn)品手冊中列出的磁場參數(shù)，合理布局，避免將芯片安裝在持續(xù)強磁場源（如大型電機）的正上方或緊鄰位置。
4、串口MRAM芯片器件的濕度敏感等級如何？
目前，所有Everspin M串口MRAM芯片產(chǎn)品均達到MSL-3（濕度敏感等級3）標(biāo)準(zhǔn)。部分早期型號或特定封裝類型可能在認(rèn)證完成前有較短的車間壽命，建議用戶在采購與存儲時留意產(chǎn)品包裝說明，并遵循推薦的焊接與存儲條件。
5、串口MRAM芯片系統(tǒng)設(shè)計中如何降低外部磁場風(fēng)險？
Everspin MRAM的磁場耐受能力與普通硬盤相當(dāng)，因此可安全用于電機、變壓器等設(shè)備附近，只要實際場強不超出其規(guī)格范圍。建議在整機設(shè)計階段通過模擬或?qū)崪y，確認(rèn)安裝位置的磁場強度，并合理規(guī)劃MRAM與其他磁性部件的物理距離。
本文關(guān)鍵詞：MRAM,串口MRAM芯片
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