新興NVM技術(shù)（MRAM、PCM和RRAM）在用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和邊緣AI設(shè)備的微控制器(MCU)和低功耗SoC/ASIC中的嵌入式代碼/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面繼續(xù)獲得動(dòng)力。小于28nm幾何尺寸缺乏具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的eFlash解決方案是推動(dòng)頂級(jí)代工廠(chǎng)和IDM積極投資在≤28nm的節(jié)點(diǎn)上集成嵌入NVM技術(shù)的主要原因。
 
    嵌入式新興NVM晶圓產(chǎn)量具有蓬勃發(fā)展的潛力，從2023年的約3KWPM增長(zhǎng)到2029年的約110KWPM(CAGR23-29~80%)。就收入而言，我們估計(jì)嵌入式市場(chǎng)到2029年可能達(dá)到約26億美元，其中三種主要的eNVM技術(shù)具有類(lèi)似的增長(zhǎng)潛力。
 
    增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)是用于MCU的嵌入式NVM，預(yù)計(jì)到2029年將占嵌入式新興NVM收入的80%以上。采用新興eNVM的MCU晶圓數(shù)量將非常迅速增長(zhǎng)，從2023年的不足1KWPM2029年達(dá)到47KWPM(CAGR23-29~124%)。

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