鐵電存儲器是在1952年發(fā)明的。貝爾實驗室隨后于1955年構(gòu)建了一個集成的256位FRAM陣列，作為一個沒有有源半導(dǎo)體元件的單片器件，三年后，杰克·基爾比(JackKilby)拼湊起來并在德州儀器(TI)發(fā)明了第一個集成電路。20世紀(jì)80年代末，科羅拉多斯普林斯的一家名為Ramtron的公司完成了FRAM的早期商業(yè)化工作。
 
    FRAM的銷量似乎比所有其他新興內(nèi)存類型的銷量總和還多。富士通在其地鐵票價卡RFID芯片中使用了FRAM，迄今為止已售出超過40億顆此類芯片。
 
    FRAM利用某些晶格的獨特物理特性。在這些鐵電材料中，原子可以占據(jù)晶格內(nèi)兩個穩(wěn)定位置之一。電場將晶格內(nèi)的移動原子移動到兩個穩(wěn)定位置之一，具體取決于電場的極性和一些物理屬性（可能是電容或電阻），具體取決于被捕獲原子的位置。
 
    任何類型的40億個芯片都是很多芯片，即使它被用作地鐵票價代幣，那么為什么FRAM經(jīng)過這么長時間、在運送了所有這些數(shù)十億個芯片之后仍然不為人知呢？半導(dǎo)體晶圓廠經(jīng)理不太喜歡鐵電材料，因為它們含有元素周期表元素，例如鉛或鉍，很容易污染晶圓廠。因此，F(xiàn)RAM作為非易失性嵌入式片上存儲器的用途有限。相關(guān)報告也指出，氧化鉿和氧化鋯也可以通過配制來表現(xiàn)出鐵電特性，而且這些材料已經(jīng)因其他原因在晶圓廠中使用，因此FRAM的未來故事很可能會繼續(xù)下去。


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