近些年來(lái)SIC技術(shù)成熟，SIC MOSFET價(jià)格大幅下降，應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步擴(kuò)大。在不久的將來(lái)，它將成為新一代流行的低損耗電力設(shè)備。在具體的工程應(yīng)用、設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)過(guò)程中，我們經(jīng)常需要檢查SIC MOSFET分析開(kāi)關(guān)特性、靜態(tài)特性和功率損耗，便于有效評(píng)估整個(gè)系統(tǒng)的效率。
 
為何SIC MOSFET短路耐受時(shí)間很小？
 
短路耐受時(shí)間(tsc)這是功率半導(dǎo)體器件一個(gè)非常重要的參數(shù)，這就是為什么它現(xiàn)在成為一個(gè)在SiC推廣和應(yīng)用中多次提到的原因。SIC的短路能力相對(duì)于先進(jìn)的Si基IGBT來(lái)講是低的。SIC宣傳這么強(qiáng)的材料特性，為什么短路能力這么不夠？
 
IGBT短路發(fā)生時(shí)，必須在10us或者在更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)掉IGBT，其他參數(shù)可以控制相同的短路能耗，如柵極電壓VGE，母線電壓等，但最終都是為了保證IGBT不會(huì)因?yàn)檫^(guò)熱而失效。SIC MOSFET原來(lái)短路能力小，根本原因也是因?yàn)闊?，是因?yàn)槎搪非昂蟮臏囟确植疾豢茖W(xué)！


本文關(guān)鍵詞：SIC MOSFET

相關(guān)文章：?SIC MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)要求

 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專(zhuān)業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性?xún)r(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專(zhuān)業(yè)分銷(xiāo)商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。