MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓操作、長壽命和非常高的速度。他們以不同的方式實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，盡管在每種情況下，性能突破背后都有創(chuàng)新的材料技術(shù)。
 
MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用1個晶體管–1個磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)架構(gòu)，將鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲元件。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲（而不是會隨著時間“泄漏”的電荷），因此MRAM提供了非常長的數(shù)據(jù)保留時間（+20年）和無限的耐用性。切換磁極化（寫入周期）是磁隧道結(jié)(MTJ)上方和下方導(dǎo)線中脈沖電流的結(jié)果。來自電流脈沖的相關(guān)H場改變了鐵磁材料自由層的極化。
 
這種磁性開關(guān)不需要原子或電子的位移，這意味著沒有與MRAM相關(guān)的磨損機(jī)制。自由層相對于固定層的磁矩會改變MTJ的阻抗。阻抗的這種變化代表數(shù)據(jù)的狀態(tài)（“1”或“0”）。感測（讀取周期）是通過測量MTJ的阻抗來完成的。MRAM設(shè)備中的讀取周期是非破壞性的且相對較快(35ns)。讀取操作是通過MTJ上的極低電壓完成的，支持在部件生命周期內(nèi)無限操作。Everspin代理英尚微介紹一款A(yù)EC-Q1001級非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR
 
MR25H10MDFR是一個1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲器(MRAM)設(shè)備，組織為131,072個8位字。MR25H10MDFR提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫時序，無寫延遲和無限讀/寫耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫入都可以在存儲器中隨機(jī)發(fā)生，寫入之間沒有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序，MR25H10MDFR是理想的存儲器解決方案。
 
MR25H10MDFR采用5mmx6mm 8引腳DFN封裝DFN Small Flag封裝。兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10MDFR在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供AEC-Q1001級（-40℃至+125℃）工作溫度范圍選項(xiàng)。
 
特性
•無寫入延遲
•無限寫入耐久性
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•斷電時自動數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速、簡單的SPI接口，時鐘速率高達(dá)40MHz
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供8針DFN Small Flag RoHS兼容
•直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM
•AEC-Q1001級選項(xiàng)


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