內(nèi)存可分為DRAM動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存和SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存兩種。兩種存儲器都是揮發(fā)性的內(nèi)存，SRAM的主要使用flip-flop正反器，通常用于快取(Cache)，而DRAM則是使用電容器及晶體管組成。
   
DRAM中又以SDRAM同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存在近幾年來最廣為使用，SDRAM最重要的就是能夠“同步”內(nèi)存與處理器(CPU)的頻率，讓SDRAM頻率可超過100MHz使傳輸數(shù)據(jù)更能實(shí)時(shí)到位。SDRAM可稱為SDRSDRAM。
 
DDR其實(shí)指的是DDRSDRAM，SDRAM及DDR主要差異有三點(diǎn)整理如下：
 
SDRAM與DDR的主要差異

1.DDR使用了預(yù)取技術(shù)(Prefetch)。Prefetch為運(yùn)作時(shí)1I0會預(yù)取的資料,也就會是DDR顆粒對外的IO寬度。

2.SDRAM只能在頻率上升時(shí)傳輸數(shù)據(jù),表示-一個(gè)頻率周期只能做一次數(shù)據(jù)傳輸，但是DDR開始能夠在頻率上升及下降皆能夠傳輸資料，所以DDR一個(gè)頻率周期就可以進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸。
 
3.DDR多了DQS(DataStrobe)有助于傳輸速率的提升，DQS為一個(gè)差分訊號且能雙向傳輸取(Read)時(shí)DQS由DDR傳往處理器，寫入(Write)時(shí)由處理器傳往DDR。
 
 
本文關(guān)鍵詞：SDRAM

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