中國今年提出了要求加快5G網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)進(jìn)度，在新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)七個(gè)領(lǐng)域中，新能源充電樁在列。相比較加油站的充電樁能夠承載更多的信息，除電流外還有信息流、資金流等等。作為車聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)采集的主要端口，充電樁網(wǎng)絡(luò)的大面積建成一定會(huì)成為未來社會(huì)交通系統(tǒng)的重要信息平臺(tái)。
 
充電樁數(shù)據(jù)的記錄和存儲(chǔ)的非常重要的。充電樁是給新能源汽車提供電能的配套產(chǎn)品，充電樁在運(yùn)作中需要處理大量的參數(shù)，通過系統(tǒng)監(jiān)測數(shù)據(jù)和事件信息，實(shí)現(xiàn)設(shè)備集中遠(yuǎn)程監(jiān)控，為設(shè)備故障診斷提供必要的數(shù)據(jù)支持，也為電站綜合管理提供全面的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)和各類統(tǒng)計(jì)報(bào)表。為此所有數(shù)據(jù)必須進(jìn)行統(tǒng)一的采集、查看和分析，并提供設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)實(shí)時(shí)監(jiān)測、危險(xiǎn)警告與通知、數(shù)據(jù)查詢分析、設(shè)備運(yùn)行總額和管理等功能。
 
充電樁生產(chǎn)商需要挑選合適的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品予以應(yīng)對(duì)，其數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片的應(yīng)用需求與智能表計(jì)非常相似。目前的鐵電存儲(chǔ)器在智能電表行業(yè)已經(jīng)作為標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器被廣泛采用，其具備的三個(gè)優(yōu)勢是許多同類型存儲(chǔ)器芯片無法比擬的。FRAM存儲(chǔ)器的三大優(yōu)勢分別是高速寫入、耐久性以及低功耗。與EEPROM對(duì)比，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器寫入次數(shù)壽命高達(dá)10萬億次，而EEPROM芯片卻僅有百萬次(10^6)。富士通FRAM存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)可在150ns內(nèi)完成，速度約為EEPROM存儲(chǔ)器的3萬倍。寫入一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的功耗僅為150nJ，約為EEPROM的1/400，在電池供電應(yīng)用中是具備有巨大的優(yōu)勢。
 

 
 
FRAM、EEPROM、FLASH主要參數(shù)對(duì)比

 
富士通FRAM能夠進(jìn)行高速寫入且實(shí)現(xiàn)高速擦除。以保障數(shù)據(jù)安全為例，若遇到黑客違法盜取及分析充電樁的機(jī)密數(shù)據(jù)信息，將導(dǎo)致大范圍的信息泄露。對(duì)此低功耗和高速的FRAM可以利用小型電池電源，瞬間消去重要數(shù)據(jù)，從而確保用戶的信息安全。這時(shí)FRAM僅需0.1mA的工作電流，就能夠在0.3ms的時(shí)間內(nèi)擦除256bit的數(shù)據(jù)，相比EEPROM擁有顯著的優(yōu)勢。富士通代理商英尚微電子支持提供應(yīng)用解決等產(chǎn)品服務(wù)。
 

 
 
FRAM、EEPROM、FLASH工作電流與消去時(shí)間對(duì)比

 
 

本文關(guān)鍵詞：FRAM  汽車FRAM

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