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32Mb高速低功耗異步SRAM

2020-05-26 09:15:41

ISSI現(xiàn)在正在生產(chǎn)32Mb高速低功耗異步SRAM,這是我們SRAM產(chǎn)品系列的最新產(chǎn)品。這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長期承諾。
 
32Mb SRAM在汽車A3溫度范圍(-40°C至+ 125°C)下提供12ns的訪問時間。
 
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位靜態(tài)RAM,組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。
 
這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù),可生產(chǎn)出高性能和低功耗的設(shè)備。
 
當(dāng)CS#為高電平(取消選擇)時,器件將進(jìn)入待機(jī)模式,在該模式下,可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴(kuò)展存儲器。激活的LOW Write Enable(WE#)控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)(UB#)和低字節(jié)(LB#)。
 
該器件采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的48引腳TSOP(TYPE I)和48引腳微型BGA(6mm x 8mm)封裝,應(yīng)用范圍在汽車/工業(yè)/醫(yī)療/電信/網(wǎng)絡(luò)等。

  IS61WV204816BLL (I) IS64WV204816BLL (A3) 注釋
溫度支持 工業(yè)
(-40°C to +85°C)
汽車
(-40°C to +125°C)
 
技術(shù) 40nm  40nm  
電源電壓 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V  
工作電流(最大)  100mA 135mA  
待機(jī)電流(Typ) 10mA  10mA  
包裝 TSOP-I(48針)
BGA(48球)
TSOP-I(48針)
BGA(48球)
引腳兼容
16Mb異步SRAM
速度  10ns 12ns  
銅引線框  
無鉛PKG 符合RoHS

 
SRAM存儲器是隨機(jī)存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址,可以隨機(jī)訪問。 SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進(jìn)行了描述。
 
待機(jī)模式
取消選擇時,設(shè)備進(jìn)入待機(jī)模式(CS#高)。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片(CS#)且寫使能(WE#)輸入為LOW時發(fā)生寫操作問題。輸入和輸出引腳(I / O0-15)處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE#為LOW,在此期間輸出緩沖區(qū)也會關(guān)閉。 UB#和LB#啟用字節(jié)寫入功能。通過將LB#設(shè)為低電平,將來自I / O引腳(I / O0至I / O7)的數(shù)據(jù)寫入地址引腳上指定的位置。且UB#為低電平時,來自I / O引腳(I / O8至I / O15)的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時(CS#為低電平),寫使能(WE#)輸入為高電平時,讀操作出現(xiàn)問題。當(dāng)OE#為LOW時,輸出緩沖器打開以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進(jìn)行任何輸入。 UB#和LB#啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LB#LOW,來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。且UB#為低電平時,來自內(nèi)存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O8-15上。
 
在讀取模式下,可以通過將OE#拉高來關(guān)閉輸出緩沖器。在此模式下,內(nèi)部設(shè)備作為READ操作,但I(xiàn) / O處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。由于器件處于讀取模式,因此使用有功電流。
 
上電初始化
該器件包括用于啟動上電初始化過程的片上電壓傳感器。
當(dāng)VDD達(dá)到穩(wěn)定水平時,器件需要150us的tPU(上電時間)來完成其自初始化過程。
初始化完成后,設(shè)備即可正常運(yùn)行。


本文關(guān)鍵詞:SRAM    低功耗異步SRAM   ISSI代理


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