MRAM是一種以電阻為存儲方式結(jié)合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲介質(zhì)。寫入速度可達NAND閃存的數(shù)千倍，此外，其制作工藝要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在壽命方面，由于MRAM特殊的存儲方式，產(chǎn)品的壽命耐久性也遠超傳統(tǒng)RAM。大規(guī)模普及仍面臨挑戰(zhàn)
 
毫無疑問，MRAM因其獨特的存儲方式在非易失性，寫入速度，壽命等各方面均有優(yōu)勢，然而能否被廣泛采用仍面臨一系列挑戰(zhàn)。
 
一般來講，MRAM通常由三大部分組成：半導體基底，磁自旋隧穿結(jié)（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）和磁發(fā)生器。產(chǎn)業(yè)調(diào)研報告《Emerging Memories Ramp Up》顯示，MRAM在廣泛推廣的過程中面臨的重要挑戰(zhàn)的原因是所使用的材料和工藝和傳統(tǒng)的CMOS制造不同。
 
性能壽命遠超NAND，MRAM離大規(guī)模應用還有多久?傳三星良率已達90%
 
報告稱，目前，MRAM是在單獨的晶圓廠作為“后端生產(chǎn)線”（BEOL）工藝來生產(chǎn)的，需要一些傳統(tǒng)CMOS制造工藝沒有使用的新設備，諸如離子束蝕刻和新的濺射靶之類。要想降低嵌入式MRAM產(chǎn)品的成本，其制造就需要進入CMOS晶圓廠，成為常規(guī)器件生產(chǎn)的一部分。
 
Applied Materials金屬沉積產(chǎn)品副總裁Kevin Moraes稱，在MTJ結(jié)構(gòu)中，是由存儲層，隧道壁壘層和參考層等互相堆疊而成。這些堆疊材料中，有些作為阻擋作用薄膜層，這些阻擋層非常薄，很容易被破壞，因此如何精準的沉積這些薄膜也十分重要。
 
除三星一直積極推進MRAM發(fā)展之外，英特爾也在今年上半年宣布已經(jīng)做好eMRAM芯片大批量生產(chǎn)的準備。鎧俠也相繼發(fā)表多項MRAM相關(guān)專利，推動技術(shù)發(fā)展。作為MRAM領先者的EVERSPIN供應商仍致力于研發(fā)創(chuàng)新出新的產(chǎn)品提供給市場.
 
報道稱，三星透過提升MTJ結(jié)構(gòu)的均一性，以減少阻抗值與記錄電流偏差，改良制程，減少會對MTJ造成不良影響的缺陷密度，實現(xiàn)容量和良率的提升。
 
此外，隨著存儲設備朝著高集成度方向發(fā)展，MRAM小型化發(fā)展也面臨困難。
 
目前，以MRAM為代表的新型存儲已經(jīng)發(fā)展到了關(guān)鍵階段，能否成為取代NAND閃存的下一代存儲介質(zhì)除了材料和工藝的不斷完善之外，構(gòu)建完善的器件技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)也是十分關(guān)鍵的。相信在市場需求的引導以及各大廠商的推動下，存儲產(chǎn)品一定朝著性能更高，容量更大以及成本更優(yōu)的方向發(fā)展。

本文關(guān)鍵詞：MRAM EVERSPIN    

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