對工業(yè)級固態(tài)硬盤了解的都清楚固態(tài)硬盤里面的超級電容，而對于工業(yè)級固態(tài)硬盤為什么會采用鉭電容，主要的目的是為了保持數(shù)據，因為當固態(tài)硬盤遭遇突然斷電的時候，鉭電容就會用自身的電量將存儲在RAM中的數(shù)據轉移到ROM中，防止數(shù)據因為斷電丟失，工業(yè)級固態(tài)硬盤鉭電容的位置如圖所示，占據了盤內不少的位置，并且工業(yè)級固態(tài)硬盤采用鉭電容存在以下幾個弊端

1. 電容本身故障率會導致數(shù)據丟失，工業(yè)級固態(tài)硬盤應用的環(huán)境相對比較苛刻，一般不是封閉高溫就是各種復雜的室外環(huán)境，對電容的要求性比較好，也容易造成電容出現(xiàn)功能性的故障，同時電容本身也存在不良率的情況也會間接的影響數(shù)據的存儲，
2. SSD掉電恢復設計最復雜，掉電后數(shù)據恢復本身就是一項非常復雜的事，在精密的設計里面一環(huán)緊扣一環(huán)，變量系數(shù)太大一旦不慎也是導致數(shù)據全盤丟失。
3. 緩存容量不能太大，這對工業(yè)級的固態(tài)硬盤來說是個硬傷，因為電容能夠提供的電量有限，緩存過大而電容電量不足也是不夠時間將數(shù)據寫入閃存中，

目前來說大部分的工業(yè)級固態(tài)硬盤是采用閃存記憶體來存儲數(shù)據，除了閃存之外還可以使用MRAM存儲芯片作為緩存的設計這樣子緩存數(shù)據掉電后還可以保持數(shù)據，而且進入3D TLC時代后，在One Shot編程模式下，也不用考慮Lower Page Corruption這種問題了。
 
所以，我們很快就會發(fā)現(xiàn)MRAM的一大用途——SSD的緩存芯片，這樣緩存數(shù)據掉電后還在，而且進入3D TLC時代后，在One Shot編程模式下，也不用考慮Lower Page Corruption這種問題了。
 
使用MRAM存儲芯片作為SSD固態(tài)硬盤的優(yōu)勢如下：
1. 掉電恢復變得簡單：以前關于電容和各種變量、內部管理數(shù)據等的保存、恢復都不需要了；
2. 數(shù)據更安全：即使掉了電，緩存數(shù)據和關鍵管理數(shù)據還在MRAM里面，上電后繼續(xù)用；
3. 掉電恢復時間更快：管理數(shù)據還在MRAM里面，上電后直接就用了，少了一個恢復的過程；
4. 隨機性能更高：MRAM是可以按字節(jié)隨機訪問的，而且隨機性能很高，所以作為寫緩存，提升IOPS；
5. 應用場景更廣泛：很多苛刻的大電容不適合的室外環(huán)境也可以有掉電保護；MRAM是芯片，符合工業(yè)級的寬溫要求。
6. 降低成本。MRAM比電容還貴，怎么降低？設計簡單了，測試也就簡單了，成本自然就下架了 。
 
Everspin科技公司目前是全球第一家提供MRAM存儲芯片產品，目前推出最新款的產品STT-MRAM產品，單顆芯片容量可達32MB，可以做SSD固態(tài)硬盤的緩存綽綽有余，如下圖，MRAM的讀寫延遲只有10微秒左右，而且在命令很多的情況下，延遲QoS非常穩(wěn)定，波動在2微秒之內。而SSD的延遲在100微秒，同時命令多了之后，延遲更長。
 
 
另外Everspin還推出了一款1GB容量的加速卡，可以達到150萬IOPS，6.26微秒延遲，
可以用來做NV DIMM了，而且不需要電池。如果自己開發(fā)的話，Everspin還提供MRAM控制器的IP。


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