Everspin領(lǐng)先采樣64Mb DDR3 ST-MRAM;與合作伙伴合作準(zhǔn)備設(shè)計和制造生態(tài)系統(tǒng)

 

亞利桑那州錢德勒市 - 2012年11月12日 - Everspin Technologies在業(yè)界率先推出首款自旋扭矩磁阻RAM（ST-MRAM），這是一種新型高性能和超低延遲內(nèi)存，預(yù)計將改變存儲架構(gòu)并有助于推動摩爾定律的不斷演變。

 

STT-MRAM在速度、面積、寫入次數(shù)和功耗方面能夠達(dá)到較好的折中，因此被業(yè)界認(rèn)為是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的理想器件。STT-MRAM的應(yīng)用前景并不局限于傳統(tǒng)的計算機存儲體系，還能夠擴展到其他諸多領(lǐng)域，甚至有望成為通用存儲器。例如，寶馬公司在發(fā)動機控制模塊采用MRAM以保證數(shù)據(jù)在斷電情況下不丟失。鑒于磁性存儲具有抗輻射的優(yōu)勢，空客公司在A350的飛行控制系統(tǒng)中采用MRAM以防止射線造成數(shù)據(jù)破壞。此外，在物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用領(lǐng)域，泛在的傳感器終端需要搜集海量數(shù)據(jù)，為節(jié)省存儲功耗，使用非易失性存儲器勢在必行，STT-MRAM以其相對優(yōu)良的性能成為熱門的候選器件

產(chǎn)品列表：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

 

本文關(guān)鍵詞：Everspin

 

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