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Everspin MR0A16AYS35 并行1Mb非易發(fā)性MRAM芯片

2018-06-06 15:04:04


自20世紀(jì)90年代以來,MRAM或磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一直在發(fā)展中。 基于90年代以來在硬盤驅(qū)動(dòng)器行業(yè)使用的相同磁性技術(shù),它是一種新興技術(shù)之一,已被認(rèn)為是下一代存儲(chǔ)器的替代品,可取代DRAM和NAND閃存等半導(dǎo)體行業(yè)的中堅(jiān)力量, 隨著行業(yè)向小型節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移,這些企業(yè)正面臨嚴(yán)峻的規(guī)模化挑戰(zhàn)。

總部位于亞利桑那州錢德勒的Everspinn科技有限公司是全球領(lǐng)先的設(shè)計(jì), 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉(zhuǎn)移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產(chǎn)商,自從Everspin第一款產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng),由于MRAM可以保持?jǐn)?shù)據(jù)持久性和完整性、低功耗等特性,在應(yīng)用程序設(shè)計(jì)中起到了安全性至關(guān)重要的作用,現(xiàn)在在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源、工業(yè)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)應(yīng)用超過 7000萬 MRAM 和 MRAM 產(chǎn)品, Everspin 科技公司為世界上 MRAM 用戶建立了最強(qiáng)大、最迅速的基礎(chǔ)。

Everspin Technologies MR0A16AYS35為1,048,576位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。MR0A16AYS35擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲),以及出色的耐讀/寫能力。數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失,并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù),以防止在非工作電壓期間寫入。對(duì)于必須快速、永久地存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用,MR0A16AYS35在較為寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。溫度范圍0至+70°C),用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素

?如下為1Mb并口MRAM型號(hào)表:
Density
Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
1Mb 64Kx16 MR0A16AYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +105℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AMA35 48-BGA 3.3V 0 ℃to +70℃
1Mb 64Kx16 MR0A16ACMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 64Kx16 MR0A16AVMA35 48-BGA 3.3V -40 to +105C
1Mb 64Kx16 MR0A16AMYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BYS35 44-TSOP 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCYS35 44-TSOP 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BMA35 48-BGA 3.3V 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0D08BMA45 48-BGA 3.3VDD, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0DL08BMA45 48-BGA 2.7VDD min, 1.8IO 0℃ to +70℃
1Mb 128Kx8 MR0A08BCMA35 48-BGA 3.3V -40℃ to +85℃

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英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 
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