Everspin MR2A16ACYS35 4MB并行MRAM
2018-05-25 14:43:59
前身為飛思卡爾半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)品部的Everspin Technologies公司已將4Mb M_作為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，并對(duì)客戶進(jìn)行批量供貨，這款名為MR2A16ACYS35的產(chǎn)品存取時(shí)間為25及30納秒，具體參數(shù)可以看考規(guī)格書，Everspin Technologies公司是全球領(lǐng)先的分立和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）的設(shè)計(jì)，制造領(lǐng)導(dǎo)者，其市場和應(yīng)用領(lǐng)域的數(shù)據(jù)持久性和完整性 ，低延遲和安全性至關(guān)重要。 憑借在數(shù)據(jù)中心，云存儲(chǔ)，能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場部署的超過7000萬個(gè)MRAM和ST-MRAM產(chǎn)品，Everspin建立了世界上MRAM用戶最強(qiáng)大，發(fā)展最快的基礎(chǔ)。
Everspin MR2A16ACYS35為524,288字 x 8位的4,194,304位磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM)。數(shù)據(jù)保持期長達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。對(duì)于必須快速、永久地存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用。
Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性。”
?以下產(chǎn)品列表為4Mb并行MRAM
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
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