美國公司Everspin從2012年開始生產(chǎn)第一代芯片MRAM的產(chǎn)品，MRAM是被行業(yè)內(nèi)廣泛認(rèn)為可以與RAM一樣快的并且可以永久存儲，MRAM比NAND閃存速度快500倍，美國公司Everspin在2017年前生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品容量只能容納645Mbit的數(shù)據(jù)，2017年美國公司Everspin推出一款新的產(chǎn)品稱為轉(zhuǎn)矩MRAM(ST-MRAM)，屬于MRAM第三代產(chǎn)品，接口類似DDR3或DDDR4 RAM，但是由于MRAM是屬于非易失性產(chǎn)品，斷電時可以保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失，在速度上比現(xiàn)有閃存要快。
 
Everspin是目前唯一一家出售此類產(chǎn)品的公司，但直到現(xiàn)在也是在64MB chunk(組塊)以內(nèi)。一個DIMM插槽僅用作64Mb容量存儲自然不能讓MRAM成為主流。Everspin稱它還希望在年底出1GB MRAM產(chǎn)品。
 
這個DDR接口又快又漂亮——DDR4 RAM可達19,000 MB/s——而Everspin宣稱其寫入速度比NAND閃存快10,000倍。
 
當(dāng)然，在這個芯片成為主流選項之前還有一系列問題，從服務(wù)器制造商需要適應(yīng)MRAM以便機器操作系統(tǒng)能夠讓MRAM工作開始，然后要了解雖然位于DIMM接口內(nèi)，它也是一個永久存儲層。IBM開始亮出了一款針對Power8系統(tǒng)的驅(qū)動器，Everspin也表示正在和其它服務(wù)器制造商交流中。距離盒子的到來不遠了。
 
密度是另一個要擔(dān)心的問題——服務(wù)器只能有很多DIMM，并且這類應(yīng)用程序類似快速存儲和許多內(nèi)存。Everspin表示它一直致力于6GB MRAM，該產(chǎn)品有助于密度，對將要接受的挑戰(zhàn)表現(xiàn)地自信滿滿。

關(guān)鍵字：ST-MRAM

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