臺(tái)積電1.4納米級(jí)制造技術(shù)的開發(fā)正在順利進(jìn)行。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)使用其2納米級(jí)制造工藝的量產(chǎn)有望在2025年實(shí)現(xiàn)。
 
    隨著半導(dǎo)體工藝深入到5nm以下，制造的難度和成本日益增加。摩爾定律的物理極限大約在1nm左右，再往下就會(huì)面臨嚴(yán)重的量子隧穿難題，這將導(dǎo)致晶體管失效。各大廠商在實(shí)際尺寸上采用的先進(jìn)工藝仍有一定的余地，紙面上的1nm工藝仍可能存在。
     
    臺(tái)積電去年成立了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來研發(fā)1.4nm工藝，CEO表示公司正在探索比1.4nm更先進(jìn)的工藝。1.4nm工藝是半導(dǎo)體行業(yè)追求的目標(biāo)之一，但將會(huì)面臨很大的挑戰(zhàn)。
 
    2nm工藝之后是14A，也就是1.4nm工藝，預(yù)計(jì)在2026年問世，再往后就是A10工藝，也就是1nm，預(yù)計(jì)在2028年問世。
 
    然而，實(shí)際量產(chǎn)時(shí)間可能會(huì)延后。在2nm節(jié)點(diǎn)之后，EUV光刻機(jī)需要進(jìn)行大規(guī)模升級(jí)，ASML預(yù)計(jì)在2026年推出下一代EXE:5000系列，采用HighNA技術(shù)提高光刻分辨率。但下一代EUV光刻機(jī)的售價(jià)將從1.5億美元上漲到4億美元以上，甚至可能會(huì)進(jìn)一步增加，這對(duì)制造商的成本控制能力提出了很大的考驗(yàn)。
 
 
本文關(guān)鍵詞：1.4nm工藝

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