內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定機構(gòu)JEDEC此前確認(rèn)將于2018年正式宣布DDR5內(nèi)存規(guī)范，并非常明確的表示，下一代DDR內(nèi)存的帶寬和密度都是現(xiàn)在的兩倍！同時也會提供更加高效更加強大的通道效率。目前，DDR4內(nèi)存的最高默認(rèn)頻率能夠達到2400MHz，這意味著未來會有DDR5-4800內(nèi)存的出現(xiàn)。
      媒體認(rèn)為，這是一個非常巨大的提升。要知道，目前DDR4最高能夠超頻到4266MHz，而且由于對內(nèi)存體質(zhì)要求非常高，所以實際上只有很少一部分內(nèi)存存儲芯片能夠達到這一標(biāo)準(zhǔn)。而DDR5默認(rèn)就可以上到更高的頻率，對于用戶來說是“幸福”的。
     不過，JEDEC并沒有把雞蛋全部放在DDR內(nèi)存一個籃子里，該機構(gòu)同時還在制定類似Intel傲騰技術(shù)的混合內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。
     JEDEC將這種混合內(nèi)存稱為NVDIMM-P，是一種將易失性內(nèi)存和非易失性內(nèi)存整合在一起的全新內(nèi)存產(chǎn)品，其能夠在關(guān)機狀態(tài)下保存數(shù)據(jù)。

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