MCU內(nèi)部存儲(chǔ)器的總數(shù)取決于存儲(chǔ)器的分類(lèi)。主要有兩種存儲(chǔ)器：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）。但是，根據(jù)內(nèi)存性能的不同，RAM和ROM有不同的類(lèi)型。這些不同類(lèi)型的內(nèi)存適用于各種功能，如高速緩存、主內(nèi)存、程序內(nèi)存等。另一方面，存在內(nèi)存虛擬和物理定義問(wèn)題。
 
RAM兩種主要類(lèi)型是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)。兩者都必須施加電壓來(lái)存儲(chǔ)其信息。DRAM很簡(jiǎn)單，基本實(shí)現(xiàn)只需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器。DRAM它是所有內(nèi)存技術(shù)中最常用的一種。當(dāng)集成到MCU它被稱(chēng)為嵌入式DRAM(eDRAM)。與外部存儲(chǔ)器的等效分離DRAM芯片相比，eDRAM每比特的成本更高。即便如此，也會(huì)將eDRAM放置于與Cpu同樣的芯片特性?xún)?yōu)勢(shì)仍然超過(guò)了高性能應(yīng)用的成本劣勢(shì)。
 
SRAM比eDRAM復(fù)雜，一般由六個(gè)晶體管完成。SRAM比DRAM速度快，所以特別適合集成到MCU中間。這是最常用的內(nèi)部MCU內(nèi)存技術(shù)之一。SRAM通常用作高速緩存和Cpu存儲(chǔ)器。
 
MCU非易失性存儲(chǔ)器包括閃存和電可擦可編程ROM(EEPROM)。閃存是EEPROM一種形式。管理模式是兩者之間的重要區(qū)別；Flash管理(寫(xiě)入或或擦除)，EEPROM可以管理字節(jié)級(jí)別。閃存適用于NAND和NOR架構(gòu)。NAND閃存以塊為基準(zhǔn)處理數(shù)據(jù)，讀取速度快于寫(xiě)入速度。它可以快速傳輸多頁(yè)數(shù)據(jù)。它提供比NOR更高的高密度的單位面積容積。NOR Flash適用于更細(xì)粒度的操作，并提供高速隨機(jī)訪問(wèn)。NOR Flash能夠讀寫(xiě)特定信息。
 
易失性和非易失性存儲(chǔ)技術(shù)可根據(jù)幾個(gè)特點(diǎn)進(jìn)行比較：
速率：易失性?xún)?nèi)存更快速
成本：易失性?xún)?nèi)存成本較低
使用壽命：易失性存儲(chǔ)器的使用壽命較長(zhǎng)。由于其重寫(xiě)能力，非易失性存儲(chǔ)器的使用壽命有限。
能耗：DRAM易失性存儲(chǔ)器必須重復(fù)數(shù)據(jù)更新，這將消耗額外的功率。非易失性存儲(chǔ)器通常消耗較少的功率。

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