在選擇適用于重型運(yùn)輸車(chē)輛和其他數(shù)兆瓦級(jí)應(yīng)用的SIC MOSFET時(shí)，設(shè)計(jì)人員需要考慮幾個(gè)重要因素，其中包括是否使用基于單元電池（也稱為電力電子構(gòu)件或子模塊）的模塊化解決方案。
 
過(guò)去的單元電池中使用的功率半導(dǎo)體器件一直是1200V到1700V的硅IGBT。與低功率應(yīng)用十分相似，在單元電池級(jí)別部署1700V SIC MOSFET可以提高其功率處理能力和電氣性能。1700V SIC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗要低得多，因此可以增加開(kāi)關(guān)頻率并大幅縮小每塊單元電池的尺寸。1700V的高阻斷電壓還可減少達(dá)到相同直流鏈路電壓所需的單元電池?cái)?shù)量，最終在降低成本的同時(shí)提高系統(tǒng)可靠性。
 
設(shè)計(jì)人員還應(yīng)評(píng)估SIC MOSFET的固有體二極管的穩(wěn)健性。在施加應(yīng)力前后的漏-源極導(dǎo)通狀態(tài)電阻（RDSon）測(cè)試中，器件不應(yīng)表現(xiàn)出明顯的變化。這對(duì)于確保它們?cè)诮?jīng)過(guò)數(shù)小時(shí)的恒定正向電流應(yīng)力后不會(huì)降級(jí)至關(guān)重要，因?yàn)槠骷?huì)傳導(dǎo)反向電流，并在開(kāi)關(guān)周期后對(duì)所有剩余能量進(jìn)行換向。不同供應(yīng)商供應(yīng)的器件之間存在很大的差異，因此設(shè)計(jì)人員必須仔細(xì)檢查SIC MOSFET測(cè)試結(jié)果。許多器件表現(xiàn)出至少某種程度的降級(jí)，而另一些甚至可能變得不穩(wěn)定。若選擇不會(huì)降級(jí)的SIC MOSFET，則無(wú)需外部反并聯(lián)二極管，并可節(jié)省相關(guān)管芯成本和電源模塊的空間。
 
還可能存在一些與具有不同程度潛在不一致性的體二極管性能相關(guān)的挑戰(zhàn)，具體情況因器件而異。這可以通過(guò)使用可配置數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器調(diào)整SIC MOSFET的導(dǎo)通參數(shù)來(lái)解決。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于減輕SIC MOSFET更快開(kāi)關(guān)速度的次級(jí)效應(yīng)，包括噪聲和電磁干擾（EMI），以及由寄生電感和過(guò)熱引起的有限短路耐受時(shí)間和過(guò)壓?？膳渲脭?shù)字柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)已成為充分發(fā)揮SiC技術(shù)能力的關(guān)鍵。

本文關(guān)鍵詞：SIC MOSFET

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