FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。鐵電存儲器是一種具有高讀寫耐久性和快速寫入速度，功耗低等優(yōu)點的高性能和高可靠性存儲器。
 
本篇文章鐵電存儲器代理商英尚微電子介紹關于使用其他存儲芯片的常見問題和解決方案。
 
狀態(tài)：使用EEPROM
問題：由于寫耐久性規(guī)范的限制，難以更頻繁地記錄數(shù)據(jù)
解決方案：使用FRAM保證10萬億讀/寫周期
 
狀態(tài)：使用EEPROM
問題：有突發(fā)事故或斷電寫入數(shù)據(jù)丟失的風險
解決方案：使用具有快速寫入功能的FRAM，以保護斷電寫入數(shù)據(jù)
 
狀態(tài)：使用SRAM
問題：難以取出電池以保留數(shù)據(jù)
解決方案：使用FRAM作為非易失性存儲器
 
總之，鐵電存儲器產(chǎn)品為客戶帶來了諸如減少開發(fā)負擔、增強客戶產(chǎn)品性能和降低成本等好處。
 
本文關鍵詞：鐵電存儲器,FRAM,鐵電RAM

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