MR2A16ACYS35是由256Kx16組織的MRAM系列的4Mb產(chǎn)品。Everspin的4Mb MRAM MR2A16ACYS35可以與富士通4Mb 鐵電RAM MB85R4M2T較慢的時序一起運行，但也允許系統(tǒng)設計人員利用MRAM快四倍的隨機訪問周期時間。Everspin 4Mb MRAM MR2A16ACYS35采用44引腳TSOP2和48球BGA封裝。everspin代理英尚微電子提供必要的技術支持等解決方案。
 
MR2A16ACYS35的優(yōu)點
與富士通鐵電存儲器相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：
•更快的隨機訪問操作時間
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留
•無限讀/寫耐久性
•無需擔心磨損
•有競爭力的價格
•穩(wěn)定的制造供應鏈
•小尺寸BGA封裝
 
封裝引腳
MR2A16ACYS35是一個4Mb非易失性MRAM，組織為256kx16，由標稱3.3V電源供電，并與FRAM兼容。兩款產(chǎn)品均使用標準SRAM并行地址（A0-16）、字節(jié)寬雙向數(shù)據(jù)引腳（DQ0-7）和控制信號（/E、/W、/G）。每個都可以由一個公共定時接口支持，并將用作隨機存取讀/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。
 

范圍	MB85R4M2TFN-G-JAE2	MR2A16ACYS35
封裝	44-Pin TSOP	44-Pin TSOP
尺寸和高度	10.16×18.41×1.2mm	10.16×18.41×1.2mm
引腳排列	參見下面的圖1
焊接曲線	根據(jù) JEDEC J-STD-020D.1

     
Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2A16ACYS35 MRAM使用更簡單的1晶體管、1磁隧道結(jié)單元構(gòu)建。簡單的Everspin MRAM單元可提高制造效率和可靠性。MRAM使用磁性隧道結(jié)技術進行非易失性存儲。數(shù)據(jù)不會在高溫下泄漏，并且沒有磨損機制來限制該技術中的讀取、寫入或電源循環(huán)次數(shù)。在125℃下，數(shù)據(jù)保留時間優(yōu)于20年。


更多詳情點擊該鏈接：http://m.yjgzs.cn/list-180-1.html


本文關鍵詞： MRAM 鐵電RAM   

相關文章：Everspin代理非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。