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CYPRESS代理64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B

2021-06-29 10:06:08

CYPRESS提供全面的鐵電RAM非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合,可在斷電時(shí)立即捕獲和保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,例如需要高可靠性控制和吞吐量的工廠車間的高性能可編程邏輯控制器 (PLC),或以低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)非易失性和幾乎無限的耐用性,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
 
功能說明
FM25640B是一款采用先進(jìn)鐵電工藝的64Kbit非易失性鐵電存儲(chǔ)器。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或FRAM是非易失性的,執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時(shí)消除由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問題。
 
與串行閃存和EEPROM不同,F(xiàn)M25640B以總線速度執(zhí)行寫操作。不會(huì)產(chǎn)生寫入延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后,數(shù)據(jù)立即寫入存儲(chǔ)器陣列。無需數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個(gè)總線周期。此外,與其他非易失性存儲(chǔ)器相比,該產(chǎn)品提供了可觀的寫入耐久性。FM25640B能夠支持1014個(gè)讀/寫周期,或比EEPROM多1億倍的寫周期。
 
這些功能使FM25640B非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。示例范圍從數(shù)據(jù)收集(其中寫入周期數(shù)可能至關(guān)重要)到要求苛刻的工業(yè)控制(其中串行閃存或EEPROM的長(zhǎng)寫入時(shí)間可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失)。
 
FM25640B為串行EEPROM或閃存作為硬件替代品的用戶提供了巨大的好處。FM25640B采用高速SPI總線,增強(qiáng)了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。器件規(guī)格在–40℃至+85℃的工業(yè)溫度范圍內(nèi)得到保證。
 
特征
■64-Kbit鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)邏輯上組織為8K×8
?高續(xù)航100萬億(1014)讀/寫
?151年的數(shù)據(jù)保留期
?NoDelay™寫入
?先進(jìn)的高可靠性鐵電工藝
■非??焖俚拇型庠O(shè)接口(SPI)
?高達(dá)20MHz的頻率
?串行閃存和EEPROM的直接硬件更換
?支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
■完善的寫保護(hù)方案
?使用寫保護(hù)(WP)引腳的硬件保護(hù)
?使用寫禁用指令的軟件保護(hù)
?針對(duì)1/4、1/2或整個(gè)陣列的軟件塊保護(hù)
■低功耗
?250μA1MHz時(shí)的有功電流
?4μA(典型值)待機(jī)電流
■電壓操作:VDD=4.5V至5.5V
■工業(yè)溫度:–40℃至+85℃
■8引腳小外形集成電路(SOIC)封裝
■符合有害物質(zhì)限制(RoHS)
 
功能概述
FM25640B是串行FRAM存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器陣列在邏輯上組織為8K×8位,并使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)總線進(jìn)行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM。FM25640B與具有相同引腳排列的串行閃存或EEPROM之間的主要區(qū)別在于FRAM的卓越寫入性能、高耐用性和低功耗。
 
內(nèi)存架構(gòu)
訪問FM25640B時(shí),用戶尋址8K個(gè)位置,每個(gè)位置8個(gè)數(shù)據(jù)位。這八個(gè)數(shù)據(jù)位串行移入或移出。這些地址使用SPI協(xié)議訪問,該協(xié)議包括芯片選擇(允許總線上的多個(gè)設(shè)備)、操作碼和兩字節(jié)地址。地址范圍的高3位是“無關(guān)”值。13位的完整地址唯一地指定了每個(gè)字節(jié)的地址。
 
FM25640B的大多數(shù)功能要么由SPI接口控制,要么由板載電路處理。存儲(chǔ)器操作的訪問時(shí)間基本上為零,超出了串行協(xié)議所需的時(shí)間。即以SPI總線的速度讀取或?qū)懭氪鎯?chǔ)器。與串行閃存或EEPROM不同,由于寫入是以總線速度進(jìn)行的,因此無需輪詢?cè)O(shè)備是否處于就緒狀態(tài)。當(dāng)一個(gè)新的總線事務(wù)可以轉(zhuǎn)移到設(shè)備中時(shí),寫操作就完成了。這在接口部分有更詳細(xì)的解釋。
 
FM25640B除了一個(gè)簡(jiǎn)單的內(nèi)部上電復(fù)位電路外,不包含任何電源管理電路。用戶有責(zé)任確保VDD在數(shù)據(jù)表容差范圍內(nèi),以防止錯(cuò)誤操作。建議不要在芯片使能激活的情況下關(guān)斷器件。
 
串行外設(shè)接口-SPI總線
FM25640B是SPI從設(shè)備,運(yùn)行速度高達(dá)20MHz。這種高速串行總線為SPI主設(shè)備提供高性能串行通信。許多常見的微控制器具有允許直接接口的硬件SPI端口。對(duì)于沒有的微控制器,使用普通端口引腳模擬端口非常簡(jiǎn)單。

本文關(guān)鍵詞: 鐵電存儲(chǔ)器


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