VTI706464Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口。設(shè)備本身會(huì)執(zhí)行所有必要的刷新操作。
 
VTI7064特征
-SPI總線接口：
兼容SPI
兼容SQI
所有模式的時(shí)鐘頻率均為20MHz
低功耗CMOS技術(shù)：
讀取電流：25mA
待機(jī)電流：典型值150uA
-無限的讀寫周期
-8Mx8位組織和1KB頁(yè)面大小
-高可靠性
-符合RoHS
-8引腳SOIC封裝
-支持的溫度范圍：
擴(kuò)展（E）：-25°C至+85°C
工業(yè)（I）：-40°C至+85°C
 
引腳說明

 
 
接口說明
1、地址空間
所有設(shè)備都是字節(jié)可尋址的。64M設(shè)備用A[22：0]尋址。

2、頁(yè)長(zhǎng)
讀和寫操作始終是線性地址空間。只要滿足tCEM（max。），線性連發(fā)就可以跨越頁(yè)面邊界。

3、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
器件以50Ω上電。

4、開機(jī)狀態(tài)
器件在SPI模式下上電。開始任何操作之前，必須將CE＃設(shè)置為高。

5、命令/地址鎖存真相
設(shè)備可以識(shí)別各種輸入法指定的以下命令

 
備注：S=串行I/O，Q=四通道I/O。
133（104）表示[email protected]和[email protected]。
*84Mhz是允許跨頁(yè)面邊界訪問的最大工作時(shí)鐘頻率。
 
6命令終止
所有所有讀和寫都必須由CE＃從低到高完成。CK＃的上升沿是終止已激活的讀/寫字線并將設(shè)備設(shè)置為待機(jī)狀態(tài)的觸發(fā)器，否則將阻止內(nèi)部刷新操作，直到設(shè)備看到讀/寫字線已終止，無需執(zhí)行命令終止操作僅適用于讀取和寫入操作以及任何命令操作，例如Enter Quad模式命令和Reset命令。
   
關(guān)于VTI
Vilsion技術(shù)公司。是設(shè)計(jì)開發(fā)和銷售用于汽車、通信、數(shù)字消費(fèi)、工業(yè)，醫(yī)療和物聯(lián)網(wǎng)的高性能集成電路的翹楚。主要產(chǎn)品是高速SRAM，Seiral SRAM和 低功耗SRAM。其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和可靠性以及完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。VTI代理英尚微電子支持提供驅(qū)動(dòng)、例程以及必要的FAE支持。

VTI7064型號(hào)表

Density	Organization	Part NO.	Vcc(V)	Speed(MHz)	Bus Modes	Temp.	Package	Packing	Status	規(guī)格書下載
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	暫無
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	暫無
64Mbit	8M x 8	VTI7064MSM	3.0	104	SQI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	暫無
64Mbit	8M x 8	VTI7064LSM	1.8	20	SPI	C,I	8-SOIC	Tube，T&R	MP	暫無

 

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本文關(guān)鍵詞：VTI7064  

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