RAID存儲(chǔ)系統(tǒng)概述
 
RAID最初由UCBerkeley的Garth Gibson，Randy Katz和Dave Patterson于1980年代后期描述為“廉價(jià)磁盤冗余陣列”?，F(xiàn)在它已成為實(shí)現(xiàn)以下目的的冗余和并行性的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案的統(tǒng)稱：與單個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器或“只是一堆磁盤”（JBOD）相比，具有更好的容錯(cuò)能力和更好的輸入/輸出（I/O）性能。RAID通常代表由許多存儲(chǔ)磁盤組成的系統(tǒng)，服務(wù)器可以通過高速以太網(wǎng)或光纖通道（FC）介質(zhì)訪問這些存儲(chǔ)磁盤。磁盤驅(qū)動(dòng)器I/O速度是大多數(shù)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的主要性能瓶頸。通常RAID系統(tǒng)使用并行磁盤訪問和高速緩存來提高讀取和寫入性能，同時(shí)使用冗余磁盤進(jìn)行故障恢復(fù)以增強(qiáng)容錯(cuò)能力。
 
通常使用電池來備份RAID系統(tǒng)中的高速緩存（尤其是寫高速緩存），以避免由于電源故障而丟失數(shù)據(jù)。在許多此類系統(tǒng)中，寫日志用于在數(shù)據(jù)從主機(jī)傳輸?shù)酱鎯?chǔ)系統(tǒng)時(shí)跟蹤數(shù)據(jù)，并允許快速系統(tǒng)恢復(fù)，以防在將數(shù)據(jù)提交到磁盤之前發(fā)生電源或磁盤故障。如果在進(jìn)行寫事務(wù)時(shí)斷電，則會(huì)在加電時(shí)回讀日志存儲(chǔ)器以標(biāo)識(shí)掛起的寫操作。RAID控制器會(huì)不斷訪問日志以寫入日志，因此寫入日志功能需要具有高速和高耐久性的非易失性存儲(chǔ)器。此外存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)的可靠性至關(guān)重要，因?yàn)樵陔娫垂收系那闆r下丟失該數(shù)據(jù)會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)系統(tǒng)的長時(shí)間停機(jī)。
 
NV-SRAM
 
NV-SRAM（非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是具有SRAM接口的快速非易失性存儲(chǔ)器。對(duì)NV-SRAM的所有讀取和寫入均由SRAM完成，這使其具有獨(dú)特的能力以極高的速度執(zhí)行無限的讀取和寫入操作。如果斷電則保存在SRAM中的數(shù)據(jù)將被傳輸?shù)脚c每個(gè)SRAM單元集成在一起的非易失性（NV）元件中。上電時(shí)數(shù)據(jù)自動(dòng)傳輸回SRAM。高速和無限的寫/讀耐久性和高可靠性使NV-SRAM成為寫日記應(yīng)用程序的理想非易失性存儲(chǔ)解決方案。
 
 
 本文關(guān)鍵詞：NV-SRAM

相關(guān)文章：?游戲應(yīng)用中的非易失性SRAM(nvSRAM)

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。