對比別的存儲器，納米碳管運行內(nèi)存(NRAM)是一個近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可擴(kuò)展性和對閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。它比基本上全部新起存儲系統(tǒng)（PCM，MRAM和ReRAM）都更貼近通用性存儲器。他們一般用于更換閃存芯片，因而NRAM在理論上既能夠更換DRAM，還可以更換閃存芯片。2016年富士通和USJC公布，與Nantero企業(yè)達(dá)成共識受權(quán)該企業(yè)的NRAM技術(shù)性，三方企業(yè)自此相互著眼于NRAM運行內(nèi)存的開發(fā)設(shè)計與生產(chǎn)制造。
   
NRAM原理大揭秘
 
Nantero公司已經(jīng)花費了將近20年的時間來研究NRAM，該技術(shù)基于排列在交叉點電極之間的薄層中的無規(guī)組織的碳納米管的漿料。當(dāng)施加電壓時，CNT被拉到一起，接觸點數(shù)量的增加減少了電極之間的電阻路徑。這種連接是由范德華力在原子級上保持的。為了復(fù)位存儲單元，電壓脈沖會引起熱振動來斷開這些連接。
   
所得的存儲器在低能量下提供了20皮秒的切換速度，以及5ns的實際寫入速度，并具有10 ^ 11個周期的耐久性。這保證了基于CNT的NRAM的性能，并且在物理幾何尺寸方面具有更好的可擴(kuò)展性，從而成為替代DRAM和NAND FLASH的通用存儲器。
 
一個相對較新的技術(shù)是在可隨意切換的CNT的隨機(jī)組織“墊”上增加一層對齊的CNT。這些用于保護(hù)開關(guān)納米管的下層免于金屬從上方濺射的金屬遷移。



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