EVERSPIN內(nèi)存
Everspin是設(shè)計，制造和商業(yè)銷售分立磁阻RAM（MRAM）到市場和應用的全球領(lǐng)導者，在這些市場和應用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。MR2xH40xDF是一個4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設(shè)備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序，它們是理想的內(nèi)存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR2xH40xDF系列，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。Everspin代理英尚微電子支持產(chǎn)品應用解決方案以及產(chǎn)品方面技術(shù)支持。
 
總覽
MR2xH40xDF系列是一個SPI接口MRAM系列，其存儲器陣列使用芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行外圍設(shè)備的串行時鐘（SCK）的四針接口邏輯組織為512Kx8接口（SPI）總線。MRAM實現(xiàn)了SPIEEPROM和SPIFlash組件通用的命令子集。這樣，SPI MRAM可以替換同一插槽中的這些組件，并在共享的SPI總線上進行互操作。與其他串行存儲器替代品相比，SPI MRAM具有卓越的寫入速度，無限的耐用性，低待機和運行能力以及簡單，可靠的數(shù)據(jù)保留。
 
可靠的供應
Everspin是MRAM產(chǎn)品的長期可靠制造商，并在亞利桑那州錢德勒設(shè)有制造廠。
 
MR2xH40xDF的優(yōu)點
與CYPRESS FRAM相比，升級到Everspin MRAM具有許多優(yōu)勢：
•更快的隨機訪問操作時間（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和數(shù)據(jù)保留（在125°工作溫度下超過20年）
•無限讀/寫耐久性
•不用擔心
•掉電時的自動數(shù)據(jù)保護
•競爭定價
•穩(wěn)定的制造業(yè)供應鏈
 
普通引腳
MR2xH40xDF是組織為512Kx8的4Mb非易失性RAM，采用標稱3.3V電源供電，并且與FRAM兼容。它提供標準的8引腳小標志DFN（DF版）和8引腳DFN（DC版），它們是多功能封裝選項，可以用SPI-FRAM8引腳SOIC和8引腳GQFN替代它。包（表1）。從硬件的角度來看，關(guān)鍵的區(qū)別在于用于封裝引腳（引腳7）的PCB的變化。從軟件的角度來看，這兩個設(shè)備之間的主要區(qū)別在于引腳7的功能和設(shè)備ID。當主機CPU必須中斷存儲器時，使用MR2xH40xDF的HOLD＃引腳（引腳7）另一個任務(wù)的操作。當HOLD＃為LOW時，當前操作被掛起。設(shè)備將忽略SCK或CS＃上的任何過渡。當SCK為低電平時，必須在HOLD＃上進行所有轉(zhuǎn)換。如果不使用，此引腳必須連接到VDD?？赡苄枰挠布蛙浖拍茉贛RAM上啟用HOLD＃功能。FRAM上的引腳7是DNU或不使用。