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Nand-flash內(nèi)存是FLASH內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。

深圳市芯天下技術(shù)有限公司(簡(jiǎn)稱芯天下)成立于2014年，是一家專注于存儲(chǔ)芯片的半導(dǎo)體高新技術(shù)公司。芯天下扎根中國(guó)，專注耕耘自有品牌（Paragon 芯天下），致力成為中國(guó)自主存儲(chǔ)芯片方案提供商。
產(chǎn)品包括NAND MCP, SPI NAND,EEPROM,SPI NOR Flash等，主要應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、車載設(shè)備、監(jiān)控、POS機(jī)、家電、M2M、數(shù)據(jù)卡和機(jī)頂盒等終端產(chǎn)品上。同時(shí)為了順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)，滿足合作伙伴對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)及體驗(yàn)的需求，芯天下也提供客戶定制的服務(wù)，以SIP等更優(yōu)化的設(shè)計(jì)性能提高產(chǎn)品價(jià)值。

Density	Part Number	Description	Package	Voltage	Packing	MPQ(Units)	Quantity	State	Delivery date	PDF下載
8Gbit	XTSD08GLGEAG	8Gbit 3.3V SD NAND	LGA8 8x6mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
4Gbit	XTSD04GLGEAG	4Gbit 3.3V SD NAND	LGA8 8x6mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
4Gbit	PN27G04ABGITG	4Gbit 3.3V BGA 8bit SLC NAND	BGA24 6x8mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
2Gbit	XTSD02GLGEAG	2Gbit 3.3V SD NAND	LGA8 8x6mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
2Gbit	PN27G02BBGITG	2Gbit 3.3V BGA 0bit SLC NAND	BGA24 6x8mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
1Gbit	PN27G01ABGITG	1Gbit 3.3V BGA 8bit SLC NAND	BGA24 6x8mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
1Gbit	PN27G01BBGITG	1Gbit 3.3V BGA 0bit SLC NAND	BGA24 6x8mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
1Gbit	PN27Q01BBGITG	1Gbit 1.8V BGA 0bit SLC NAND	BGA24 6x8mm	1.7~1.9V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)
1Gbit	XTSD01GLGEAG	1Gbit 3.3V SD NAND	LGA8 8x6mm	2.7~3.6V	Tray	3770	22620	MP	6W	暫無(wú)

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